I dispositivi al nitruro di gallio su silicio soddisfano gli obiettivi di costo e prestazioni. Prossimo obiettivo: produzione a volumi consistenti, e commercializzazione
Fonte ST
STMicroelectronics, leader mondiale nel campo dei semiconduttori, e MACOM Technology Solutions Holdings Inc., hanno annunciato il successo nella produzione di prototipi a radiofrequenza di nitruro di gallio su silicio.
RF GaN-on-Silicon promette alte prestazioni per l’infrastruttura 5G e 6G. La tecnologia di alimentazione RF a lungo termine, il semiconduttore a ossido di metallo a diffusione laterale (LDMOS), ha dominato gli amplificatori di potenza RF (PA) di prima generazione.
GaN può offrire caratteristiche RF superiori e una potenza di uscita significativamente maggiore rispetto a LDMOS per questi PA RF. Inoltre, può essere prodotto su wafer di silicio o carburo di silicio (SiC).
RF GaN-on-SiC può essere più costoso a causa della concorrenza per i wafer SiC da applicazioni ad alta potenza e per l’elaborazione dei semiconduttori non mainstream. D’altra parte, la tecnologia GaN-on-Si in fase di sviluppo da parte di ST e MACOM dovrebbe offrire prestazioni competitive abbinate a grandi economie di scala, rese possibili dalla sua integrazione nei flussi di processo standard dei semiconduttori.
I prototipi di wafer e dispositivi prodotti da ST hanno raggiunto obiettivi in termini di costi e prestazioni che consentirebbero loro di competere efficacemente con le tecnologie LDMOS e GaN-on-SiC esistenti sul mercato.
Questi prototipi si stanno ora spostando verso le prossime grandi pietre miliari: qualificazione e industrializzazione.
ST punta a raggiungere questi traguardi nel 2022
Con questi progressi, ST e MACOM hanno avviato discussioni per accelerare ed espandere il processo di consegna sul mercato dei prodotti GaN-on-Si RF avanzati.
“Riteniamo che la tecnologia abbia ora raggiunto livelli di prestazioni e maturità di processo in cui può sfidare efficacemente i consolidati LDMOS e GaN-on-SiC e possiamo offrire interessanti vantaggi in termini di costi e catena di fornitura per applicazioni ad alto volume, inclusa l’infrastruttura wireless”, ha affermato Edoardo Merli, Direttore Generale del Sottogruppo Power Transistor e Vice Presidente Esecutivo di STMicroelectronics. “La commercializzazione dei prodotti RF GaN-on-Silicon è la prossima grande pietra miliare nella nostra collaborazione con MACOM e con i continui progressi, non vediamo l’ora di realizzare appieno il potenziale di questa entusiasmante tecnologia”.
“Insieme, continuiamo a fare buoni progressi nello spostamento della tecnologia GaN-on-Si verso la commercializzazione e la produzione ad alto volume“, ha affermato Stephen G. Daly, Presidente e CEO di MACOM. “La nostra collaborazione con ST è una parte importante della nostra strategia di potenza RF e sono fiducioso che possiamo conquistare quote di mercato in applicazioni mirate in cui la tecnologia GaN-on-Silicon soddisfa i requisiti tecnici”.
